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臺(tái)媒:韓欲阻半導(dǎo)體企業(yè)赴大陸擴(kuò)廠 憂技術(shù)外流

2017-09-21 07:22:34    中國(guó)網(wǎng)  參與評(píng)論()人

臺(tái)媒援引韓媒報(bào)道稱,,首爾當(dāng)局計(jì)劃阻止半導(dǎo)體和顯示器制造商在中國(guó)大陸擴(kuò)廠,,以免先進(jìn)技術(shù)外流而喪失競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。這項(xiàng)決策顯然考慮韓國(guó)國(guó)內(nèi)就業(yè),,同時(shí)也考慮到中韓關(guān)系目前的矛盾,。

據(jù)臺(tái)灣聯(lián)合新聞網(wǎng)9月20日?qǐng)?bào)道,,三星電子,、SK海力士,、LG顯示器均有意在中國(guó)大陸興建更多工廠,,但這些公司的計(jì)劃將面臨政府最新政策的沖擊,。業(yè)者們擔(dān)心將延誤時(shí)機(jī),無(wú)法如期供應(yīng)產(chǎn)品,。

韓國(guó)貿(mào)易工業(yè)及能源部指出,,半導(dǎo)體和顯示器業(yè)者最好重新考慮進(jìn)入中國(guó)大陸市場(chǎng)的計(jì)劃。韓國(guó)政府已要求三星電子副會(huì)長(zhǎng)權(quán)五鉉重新考慮在大陸興建半導(dǎo)體廠的計(jì)劃,。

三星電子8月才宣布,,未來(lái)三年將在西安投資69.2億美元,興建第二座3D NAND閃存設(shè)施,。海力士則已宣布,,將在無(wú)錫投資興建DRAM廠。

韓國(guó)產(chǎn)業(yè)界擔(dān)心,,貿(mào)易工業(yè)及能源部的這項(xiàng)負(fù)面意見(jiàn)將導(dǎo)致業(yè)者銷售與投資策略受阻,,因?yàn)轫n國(guó)政府可能在審查時(shí)否決這些計(jì)劃。

報(bào)道稱,,DRAM,、NAND及OLED顯示器被列為韓國(guó)國(guó)家重要技術(shù),。凡接受政府資助的技術(shù),都須遵照《防止與保護(hù)產(chǎn)業(yè)技術(shù)外泄法》的規(guī)定,,因此這些技術(shù)在出口前須獲政府核準(zhǔn),。

報(bào)道稱,當(dāng)初三星電子是以未接受政府資助為由,,在西安建第一座3D NAND閃存廠,。但專家認(rèn)為,由于半導(dǎo)體的生產(chǎn)須結(jié)合各種技術(shù),,若韓國(guó)政府以此理由做出解釋,,三星就必須馬上停止在大陸建造新廠。

報(bào)道稱,,樂(lè)金顯示器(LG Display)在廣州的OLED八代廠計(jì)劃,,也可能馬上面臨首爾政府新政策的阻擋。

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