9月19日，“英特爾精尖制造日”活動在北京舉行,，展示了英特爾制程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細節(jié),，英特爾首款10納米FPGA的計劃,，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實現(xiàn)商用并出貨,。

英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造,、運營與銷售集團總裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10納米晶圓,。

　　英特爾公司執(zhí)行副總裁兼制造,、運營與銷售集團總裁Stacy Smith表示,，英特爾推動摩爾定律向前發(fā)展的能力—— 每一年都持續(xù)降低產(chǎn)品價格并提升其性能 —— 是英特爾的核心競爭優(yōu)勢。英特爾一直以來都是并將繼續(xù)成為推動摩爾定律向前發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,，目前英特爾在制程工藝上保持著大約三年的領(lǐng)先性,。

　　在此次“英特爾精尖制造日”活動上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開亮相,。英特爾高級院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節(jié),，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。英特爾10納米制程工藝采用超微縮技術(shù)（hyper scaling）,，超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù),。

　　馬博同時介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細節(jié)。22FFL是在2017年3月美國“英特爾精尖制造日”活動上首次宣布的一種面向移動應(yīng)用的超低功耗FinFET技術(shù),。英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能,，實現(xiàn)超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。

　　在本次活動上,，英特爾公布了采用英特爾10納米制程工藝和晶圓代工平臺的下一代FPGA計劃,。研發(fā)代號為“Falcon Mesa”的FPGA產(chǎn)品將帶來全新水平的性能，以支持數(shù)據(jù)中心,、企業(yè)級和網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中日益增長的帶寬需求,。

　　英特爾還宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心的64層、三級單元（TLC）3D NAND固態(tài)盤產(chǎn)品已正式出貨,。該產(chǎn)品自2017年8月初便開始向部分頂級云服務(wù)提供商發(fā)貨,，旨在幫助客戶大幅提升存儲效率。