國產(chǎn)內(nèi)存加速追趕,!長鑫15nm DRAM今年開發(fā)明年量產(chǎn),。長鑫存儲正在加速開發(fā)下一代DRAM技術(shù),,跳過了原計劃為首款商用DDR5產(chǎn)品采用的17nm制程,,直接采用了16nm制程技術(shù),。公司還在開發(fā)15nm制程技術(shù),目標(biāo)是在2025年內(nèi)完成,,并在2026年下半年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。
此前,,長鑫存儲主要生產(chǎn)采用17-18nm制程的DDR4,、LPDDR4X等成熟產(chǎn)品,。2024年11月,,該公司首次發(fā)布了LPDDR5產(chǎn)品,,并于2025年實(shí)現(xiàn)了DDR5的商業(yè)化目標(biāo)。
研究機(jī)構(gòu)TechInsights指出,,長鑫存儲在完成17nm制程技術(shù)開發(fā)后,,緊接著完成了16nm制程技術(shù)的開發(fā),因此首款商用DDR5產(chǎn)品采用了16nm制程技術(shù),。盡管原計劃發(fā)展15nm制程技術(shù)因美國加強(qiáng)先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備出口限制而暫時放緩,,但預(yù)計長鑫存儲利用現(xiàn)有設(shè)備也足以開發(fā)和量產(chǎn)下一代制程。美光的13nm DRAM制程技術(shù)也沒有使用EUV設(shè)備,。
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