ASML的擔(dān)憂似乎成真了,。ASML首席執(zhí)行官曾表示,,美國(guó)的制裁可能會(huì)促使中國(guó)自主研發(fā)出先進(jìn)的技術(shù)。當(dāng)時(shí)許多人認(rèn)為這只是恭維之詞,甚至有人覺得他是為了銷售光刻機(jī)而吹捧中國(guó),。然而,不到兩年時(shí)間,,國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)再次實(shí)現(xiàn)了重大突破,。
中科院成功研發(fā)出了全固態(tài)DUV光源技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)可以用于制造3nm芯片,,并且得到了國(guó)際光電工程學(xué)會(huì)的認(rèn)可,。這一突破迅速引起了芯片行業(yè)的關(guān)注,因?yàn)樗cASML的技術(shù)路線完全不同,打破了歐美光刻機(jī)的傳統(tǒng)思路,。
光刻機(jī)的三大核心技術(shù)包括光源系統(tǒng),、光學(xué)系統(tǒng)和雙工作臺(tái),其中光源系統(tǒng)直接決定了光刻機(jī)的分辨率和精度,。EUV和DUV是兩種主要的光源技術(shù),。在ASML的技術(shù)路線中,DUV光刻機(jī)通常用于制造7nm以上的芯片,,而EUV光刻機(jī)才能制造7nm以下的芯片,。由于EUV光刻機(jī)非常復(fù)雜,只有ASML能夠生產(chǎn),。
美國(guó)試圖通過控制ASML來限制中國(guó)芯片技術(shù)的發(fā)展,。然而,中科院的固態(tài)DUV光源技術(shù)打破了這種局面,。傳統(tǒng)DUV和EUV光刻機(jī)使用稀有氣體產(chǎn)生激光,,而中科院的技術(shù)則采用固態(tài)晶體產(chǎn)生光源。這一轉(zhuǎn)變帶來了三大技術(shù)突破,。
首先,,固態(tài)DUV光源技術(shù)可以在7nm甚至3nm芯片制造上發(fā)揮作用,這意味著不需要購買EUV光刻機(jī)也能制造先進(jìn)芯片,。其次,,這項(xiàng)技術(shù)繞開了美國(guó)企業(yè)的專利群,因?yàn)槠湓O(shè)計(jì)和材料都發(fā)生了巨大變化,。最后,,固態(tài)光源技術(shù)使光刻機(jī)結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,體積可以縮小30%以上,,降低了能耗,。
盡管這項(xiàng)技術(shù)還在實(shí)驗(yàn)室階段,許多細(xì)節(jié)需要完善,,但其潛力不容忽視,。即使未來不能完全落地,不斷嘗試新的光源技術(shù)也終將突破現(xiàn)有的技術(shù)限制,。這也正是ASML最擔(dān)心的地方,。