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助力“新基建”提速,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需“錯(cuò)位發(fā)展”防泡沫

助力“新基建”提速,,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需“錯(cuò)位發(fā)展”防泡沫
2020-04-22 14:16:40 科技日?qǐng)?bào)

“新基建”是近期熱詞之一,。國(guó)家發(fā)改委近日首次明確新型基礎(chǔ)設(shè)施的范圍———新型基礎(chǔ)設(shè)施是以新發(fā)展理念為引領(lǐng),以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),,以信息網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ),,面向高質(zhì)量發(fā)展需要,提供數(shù)字轉(zhuǎn)型,、智能升級(jí),、融合創(chuàng)新等服務(wù)的基礎(chǔ)設(shè)施體系。

“在以5G,、物聯(lián)網(wǎng),、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中,,第三代半導(dǎo)體均可發(fā)揮重要作用?!北本┐髮W(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波教授介紹道,第三代半導(dǎo)體即寬禁帶半導(dǎo)體,,以碳化硅和氮化鎵為代表,具備高頻,、高效,、高功率、耐高壓,、耐高溫,、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,是支撐新一代移動(dòng)通信,、新能源汽車,、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件,。

沈波解釋說(shuō),,相比于目前在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域依然占主流地位的傳統(tǒng)硅基器件,第三代半導(dǎo)體功率電子器件可使電子和電器設(shè)備進(jìn)一步高效化,、小型化,、智能化。例如,,耐高壓、大電流,、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊,,可大規(guī)模應(yīng)用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通,、新能源汽車等領(lǐng)域,;高效率、小體積,、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊,,則可大規(guī)模應(yīng)用于新一代通用電源,如大數(shù)據(jù)中心,、移動(dòng)通訊基站,、物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備的電源,以及手機(jī),、筆記本電腦的電源適配器,、無(wú)線快充電源等領(lǐng)域,具有巨大技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)空間,。

其中,,第三代半導(dǎo)體射頻電子器件在民用和軍用領(lǐng)域都已實(shí)現(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。尤其是,,由于具備高頻,、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢(shì),,氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動(dòng)通信基站建設(shè)中發(fā)揮著不可替代的作用,,我國(guó)5G建設(shè)提速,將觸發(fā)對(duì)氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長(zhǎng),。

放眼國(guó)際,,2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷期,但第三代半導(dǎo)體技術(shù),、產(chǎn)品,、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),,龍頭企業(yè)紛紛加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局,,通過(guò)調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域,擴(kuò)大產(chǎn)能供給,,整合并購(gòu),,增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)能力。相比之下,,我國(guó)第三代半導(dǎo)體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)處于起步階段,,已初步形成從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈,,但整體技術(shù)水平還落后世界頂尖水平3-5年,,亟需突破材料、器件,、封裝及應(yīng)用等環(huán)節(jié)的核心關(guān)鍵技術(shù)和可靠性,、一致性等工程化應(yīng)用問(wèn)題。

“新基建提速為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了寶貴機(jī)遇,,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)第三代半導(dǎo)體材料和器件的需求快速提升,,終端應(yīng)用企業(yè)也在調(diào)整供應(yīng)鏈,扶持國(guó)內(nèi)企業(yè),,此前難以進(jìn)入供應(yīng)鏈的產(chǎn)業(yè)鏈上中游產(chǎn)品將獲得下游用戶驗(yàn)證機(jī)會(huì),,進(jìn)入多個(gè)關(guān)鍵廠商供應(yīng)鏈?!钡谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)于坤山說(shuō),。

近日發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展報(bào)告(2019年)》預(yù)測(cè),2024年我國(guó)第三代半導(dǎo)體電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模將近200億元,,未來(lái)5年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)40%,。

面對(duì)難得機(jī)遇,,于坤山建議,我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更應(yīng)腳踏實(shí)地,,行穩(wěn)致遠(yuǎn),。“過(guò)去幾年政策資源大量?jī)A斜,,多地將第三代半導(dǎo)體列為重點(diǎn)支持產(chǎn)業(yè),,多措并舉招攬項(xiàng)目,也造成了一些低水平的重復(fù),。鑒于此,,各地在大力支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時(shí),還需關(guān)注協(xié)調(diào),、錯(cuò)位發(fā)展,,做好項(xiàng)目甄別,結(jié)合地方已有產(chǎn)業(yè),、人才和資源優(yōu)勢(shì),,考慮財(cái)政承載力和政策成本收益率,因地制宜配套政策,?!?/p>

此外,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近兩年市場(chǎng)高速增長(zhǎng)主要得益于國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的大力提倡所獲得的資本進(jìn)入,,以及碳化硅,、氮化鎵器件在新能源汽車、5G,、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的新應(yīng)用,,但當(dāng)前經(jīng)濟(jì)下行導(dǎo)致消費(fèi)電子、汽車乃至工業(yè)電機(jī)等各類產(chǎn)品市場(chǎng)下滑,,出口受阻,下游需求萎縮,,“行業(yè)應(yīng)苦練內(nèi)功,,不斷提升產(chǎn)品性能和競(jìng)爭(zhēng)力,深挖創(chuàng)新性應(yīng)用,,在拓展增量市場(chǎng)的同時(shí)不斷擴(kuò)展在存量市場(chǎng)的滲透率,,促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)良性、可持續(xù)發(fā)展,,同時(shí)還要面對(duì)‘為搶占先機(jī)超前投入,,但市場(chǎng)的啟動(dòng)往往低于預(yù)期’這一矛盾,,把握好產(chǎn)業(yè)發(fā)展的節(jié)奏,?!庇诶ど綇?qiáng)調(diào)。

(責(zé)任編輯:梁云嬌 CN079)
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