原標題：中國加緊推進半導體國產(chǎn)化日媒：中國或掌握定價主導權(quán)

參考消息網(wǎng)4月24日報道日媒稱，世界的半導體行情已開始顯現(xiàn)出源自中國的波動跡象。加緊推進半導體國產(chǎn)化的中國已全面啟動設備投資,。

《日本經(jīng)濟新聞》4月24日的報道稱，預計最早將在2018年底開始向市場供應尖端產(chǎn)品三維NAND型閃存芯片,。曾在液晶面板等眾多產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)的產(chǎn)品供給過剩也可能在半導體領(lǐng)域引發(fā)價格下跌。

“兩三年前我們根本不相信（中國企業(yè)）能順利推進,，但現(xiàn)在感覺不一樣了”,，日本大型半導體制造設備廠商愛德萬測試（Advantest Corporation）的銷售負責人難掩吃驚。

中國大型半導體企業(yè)紫光集團旗下的長江存儲科技在湖北省武漢市推進的三維NAND的量產(chǎn)項目,，愛德萬測試的銷售負責人稱“估計將在2018年底到2019年迅速實現(xiàn)量產(chǎn)”,。

報道稱，三維NAND被應用于智能手機和數(shù)據(jù)中心的存儲裝置,。與傳統(tǒng)的平面產(chǎn)品相比,，每一枚芯片的存儲容量大大增加。雖然中國計劃量產(chǎn)的產(chǎn)品與世界最尖端的三維NAND相比還存在距離,，不過據(jù)稱試制品的成品率正在不斷提高,。

中國在2015年公布的“中國制造2025”戰(zhàn)略中提出培育半導體產(chǎn)業(yè)。對于在電子設備制造領(lǐng)域握有很高份額的中國來說,，半導體是最主要的進口產(chǎn)品,。改善貿(mào)易收支離不開半導體自給率的提高。

報道稱,，為此,，中國地方政府競相利用優(yōu)惠政策吸引國內(nèi)外的半導體相關(guān)企業(yè)。將在杭州市新設晶圓工廠的日本半導體企業(yè)Ferrotec Holdings Corporation就表示“受到了多地市政府的邀請”,。

國際半導體設備與材料協(xié)會（SEMI）預測,，2018年中國的半導體制造設備市場規(guī)模將同比增長四成，增至113億美元,。從包含外資廠商的中國工廠的這一數(shù)據(jù)來看，中國的市場規(guī)模將躍升至全球第二,，僅次于韓國，占據(jù)整體市場的兩成,。

報道稱,，不僅如此，如今甚至已經(jīng)出現(xiàn)依賴中國企業(yè)穩(wěn)定供貨的半導體產(chǎn)品,。那就是NAND的上一代產(chǎn)品,、搭載于家電和汽車的NOR型閃存。由于面向汽車和有機EL面板的需求擴大,，“中國的代工企業(yè)成為各方爭奪的‘香饃饃’”（半導體商社的營業(yè)負責人）,。

據(jù)報道，在智能手機需求下滑等背景下,，當前NAND的行情表現(xiàn)疲軟,。不過每年的年初一向是需求下滑的時期。不少觀點認為，到了啟動年底商戰(zhàn)用智能手機零部件采購的2018年夏季前后,，NAND將再次陷入缺貨狀態(tài),。

那么前景如何呢？據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道,，英國調(diào)查公司IHS Markit首席分析師南川明表示“2020年以后的NAND供需取決于長江存儲科技”,。如果將該公司的計劃全部計算進去，最早將在2021年出現(xiàn)供大于求,。預計容量256GB的NAND價格在2019年~2021年每年將以約二到三成的速度下跌,。也就是說，2017年平均單價7美元的價格預計到2021年將降至2.4美元,。

報道稱,，中國旺盛的內(nèi)需也將有助于半導體產(chǎn)業(yè)的培育。預計繼智能手機之后,，數(shù)據(jù)中心將成為下一個快速增長的市場,。繼北美IT巨頭之后，騰訊和阿里巴巴集團等中國企業(yè)正在擴大投資,。

報道稱,，很多人認為長江存儲“目前僅限于供應低端產(chǎn)品”。該公司還面臨如何確保技術(shù)人員等課題,。

不過,，在中國制造商份額擴大的中小尺寸液晶面板市場，當初也是以面向中國智能手機廠商的低端產(chǎn)品為中心開始普及,。如今,，日韓制造商具有優(yōu)勢的高精細產(chǎn)品與中國產(chǎn)品的價格差已縮小到一成左右。

報道認為,，眼下出現(xiàn)的中美貿(mào)易摩擦,，半導體也成為焦點。

據(jù)報道,，中國半導體材料制造商表示“不會盲目銷售半導體,，導致供需失衡”。但從供需兩個層面來看,，可能會迎來中國掌握定價主導權(quán)的時代。

資料圖：4月11日，復旦大學微電子學院教授張衛(wèi),、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內(nèi)將硅片放入儀器,。近日，復旦大學微電子學院教授張衛(wèi),、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬倍,，數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定,。這解決了國際半導體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。（新華社）

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