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中國推進半導(dǎo)體國產(chǎn)化 日媒:中國或握定價主導(dǎo)權(quán)

2018-04-24 13:02:54  參考消息    參與評論()人

原標(biāo)題:中國加緊推進半導(dǎo)體國產(chǎn)化日媒:中國或掌握定價主導(dǎo)權(quán)

參考消息網(wǎng)4月24日報道日媒稱,世界的半導(dǎo)體行情已開始顯現(xiàn)出源自中國的波動跡象,。加緊推進半導(dǎo)體國產(chǎn)化的中國已全面啟動設(shè)備投資,。

《日本經(jīng)濟新聞》4月24日的報道稱,預(yù)計最早將在2018年底開始向市場供應(yīng)尖端產(chǎn)品三維NAND型閃存芯片,。曾在液晶面板等眾多產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)的產(chǎn)品供給過剩也可能在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)價格下跌,。

“兩三年前我們根本不相信(中國企業(yè))能順利推進,但現(xiàn)在感覺不一樣了”,,日本大型半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商愛德萬測試(Advantest Corporation)的銷售負(fù)責(zé)人難掩吃驚,。

中國大型半導(dǎo)體企業(yè)紫光集團旗下的長江存儲科技在湖北省武漢市推進的三維NAND的量產(chǎn)項目,愛德萬測試的銷售負(fù)責(zé)人稱“估計將在2018年底到2019年迅速實現(xiàn)量產(chǎn)”。

報道稱,,三維NAND被應(yīng)用于智能手機和數(shù)據(jù)中心的存儲裝置,。與傳統(tǒng)的平面產(chǎn)品相比,每一枚芯片的存儲容量大大增加,。雖然中國計劃量產(chǎn)的產(chǎn)品與世界最尖端的三維NAND相比還存在距離,,不過據(jù)稱試制品的成品率正在不斷提高。

中國在2015年公布的“中國制造2025”戰(zhàn)略中提出培育半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),。對于在電子設(shè)備制造領(lǐng)域握有很高份額的中國來說,,半導(dǎo)體是最主要的進口產(chǎn)品。改善貿(mào)易收支離不開半導(dǎo)體自給率的提高,。

報道稱,,為此,中國地方政府競相利用優(yōu)惠政策吸引國內(nèi)外的半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè),。將在杭州市新設(shè)晶圓工廠的日本半導(dǎo)體企業(yè)Ferrotec Holdings Corporation就表示“受到了多地市政府的邀請”,。

國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(SEMI)預(yù)測,2018年中國的半導(dǎo)體制造設(shè)備市場規(guī)模將同比增長四成,,增至113億美元,。從包含外資廠商的中國工廠的這一數(shù)據(jù)來看,,中國的市場規(guī)模將躍升至全球第二,,僅次于韓國,占據(jù)整體市場的兩成,。

報道稱,,不僅如此,如今甚至已經(jīng)出現(xiàn)依賴中國企業(yè)穩(wěn)定供貨的半導(dǎo)體產(chǎn)品,。那就是NAND的上一代產(chǎn)品,、搭載于家電和汽車的NOR型閃存。由于面向汽車和有機EL面板的需求擴大,,“中國的代工企業(yè)成為各方爭奪的‘香饃饃’”(半導(dǎo)體商社的營業(yè)負(fù)責(zé)人),。

據(jù)報道,在智能手機需求下滑等背景下,,當(dāng)前NAND的行情表現(xiàn)疲軟,。不過每年的年初一向是需求下滑的時期。不少觀點認(rèn)為,,到了啟動年底商戰(zhàn)用智能手機零部件采購的2018年夏季前后,,NAND將再次陷入缺貨狀態(tài)。

那么前景如何呢,?據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道,,英國調(diào)查公司IHS Markit首席分析師南川明表示“2020年以后的NAND供需取決于長江存儲科技”。如果將該公司的計劃全部計算進去,最早將在2021年出現(xiàn)供大于求,。預(yù)計容量256GB的NAND價格在2019年~2021年每年將以約二到三成的速度下跌,。也就是說,2017年平均單價7美元的價格預(yù)計到2021年將降至2.4美元,。

報道稱,,中國旺盛的內(nèi)需也將有助于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的培育。預(yù)計繼智能手機之后,,數(shù)據(jù)中心將成為下一個快速增長的市場,。繼北美IT巨頭之后,騰訊和阿里巴巴集團等中國企業(yè)正在擴大投資,。

報道稱,,很多人認(rèn)為長江存儲“目前僅限于供應(yīng)低端產(chǎn)品”。該公司還面臨如何確保技術(shù)人員等課題,。

不過,,在中國制造商份額擴大的中小尺寸液晶面板市場,當(dāng)初也是以面向中國智能手機廠商的低端產(chǎn)品為中心開始普及,。如今,,日韓制造商具有優(yōu)勢的高精細(xì)產(chǎn)品與中國產(chǎn)品的價格差已縮小到一成左右。

報道認(rèn)為,,眼下出現(xiàn)的中美貿(mào)易摩擦,,半導(dǎo)體也成為焦點。

據(jù)報道,,中國半導(dǎo)體材料制造商表示“不會盲目銷售半導(dǎo)體,,導(dǎo)致供需失衡”。但從供需兩個層面來看,,可能會迎來中國掌握定價主導(dǎo)權(quán)的時代,。

 資料圖:4月11日,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi),、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內(nèi)將硅片放入儀器,。近日,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi),、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件,,開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù),寫入速度比目前U盤快一萬倍,,數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定,。這解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。(新華社)

資料圖:4月11日,,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi),、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內(nèi)將硅片放入儀器,。近日,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi),、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件,,開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù),寫入速度比目前U盤快一萬倍,,數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定,。這解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。(新華社)

(責(zé)任編輯:崔鳳璇 CN072)
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