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眨眼間完成10億次存儲(chǔ) 科研團(tuán)隊(duì)研制出超高速閃存

眨眼間能完成10億次存儲(chǔ) 上海科研團(tuán)隊(duì)研制出超高速閃存

記者從上海市科委獲悉,,集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)通過構(gòu)建準(zhǔn)二維泊松模型在理論上,預(yù)測(cè)了超注入現(xiàn)象打破了現(xiàn)有存儲(chǔ)速度的理論極限研制“破曉(PoX)”皮秒閃存器件,。其擦寫速度可提升至亞1納秒,。400皮秒相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作,是迄今為止世界上最快的半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù),。相關(guān)成果以《亞納秒超注入閃存》為題于北京時(shí)間4月16日晚間在《自然》(Nature)期刊上發(fā)表,。

眨眼間完成10億次存儲(chǔ) 科研團(tuán)隊(duì)研制出超高速閃存

AI時(shí)代,大數(shù)據(jù)的高速存儲(chǔ)至關(guān)重要,。如何突破信息存儲(chǔ)速度極限,,一直是集成電路領(lǐng)域最核心的基礎(chǔ)性問題之一,也是制約AI算力上限的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸,。要實(shí)現(xiàn)大數(shù)據(jù)的高速存儲(chǔ),,意味著與之匹配的存儲(chǔ)器必須是在存儲(chǔ)速度、能耗,、容量上均表現(xiàn)優(yōu)異的“六邊形戰(zhàn)士”,。

然而,既有存儲(chǔ)器的速度分級(jí)架構(gòu)形如一座金字塔——位于塔上層的易失性存儲(chǔ)器(如SRAM,、DRAM)擁有納秒級(jí)的高速存儲(chǔ),,但其存儲(chǔ)容量小、功耗大,、制造成本高,、斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失;而位于塔底的非易失性存儲(chǔ)器(如閃存)則恰恰相反,,雖克服了前者的種種劣勢(shì),,但唯一的美中不足,,便是百微秒級(jí)的存取速度不及前者十萬(wàn)分之一,遑論滿足AI的計(jì)算需求,。

既然閃存除了速度都是優(yōu)點(diǎn),,有沒有可能補(bǔ)齊它的速度短板?為此,,周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)開展攻關(guān),,試圖重新定義存儲(chǔ)的邊界,找到一種“完美”的存儲(chǔ)器,。

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