4月11日,，復旦大學微電子學院教授張衛(wèi),、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內(nèi)清洗硅片

原標題：我國科學家開創(chuàng)第三類存儲技術

2018年4月11日訊，新華社上海４月１０日電（記者吳振東）近日,，復旦大學微電子學院教授張衛(wèi),、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術,，寫入速度比目前Ｕ盤快一萬倍,，數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定。這解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題,。

據(jù)了解,，目前半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲,，例如計算機中的內(nèi)存,，掉電后數(shù)據(jù)會立即消失,；第二類是非易失性存儲，例如人們常用的Ｕ盤,，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存１０年,。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來,。

此次研發(fā)的新型電荷存儲技術,，既滿足了１０納秒寫入數(shù)據(jù)速度，又實現(xiàn)了按需定制（１０秒－１０年）的可調控數(shù)據(jù)準非易失特性,。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲功耗，同時能實現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失,，在特殊應用場景解決了保密性和傳輸?shù)拿堋?/p>

這項研究創(chuàng)新性地選擇多重二維材料堆疊構成了半浮柵結構晶體管：二硫化鉬,、二硒化鎢、二硫化鉿分別用于開關電荷輸運和儲存,，氮化硼作為隧穿層,，制成階梯能谷結構的范德瓦爾斯異質結。

“選擇這幾種二維材料,，將充分發(fā)揮二維材料的豐富能帶特性,。一部分如同一道可隨手開關的門，電子易進難出,；另一部分像一面密不透風的墻,，電子難以進出。對‘寫入速度’與‘非易失性’的調控,，就在于這兩部分的比例,。”周鵬說,。