4月11日,，復旦大學微電子學院教授張衛(wèi)、周鵬團隊成員劉春森在實驗室內(nèi)清洗硅片

原標題：我國科學家開創(chuàng)第三類存儲技術(shù)

2018年4月11日訊,，新華社上海４月１０日電（記者吳振東）近日,，復旦大學微電子學院教授張衛(wèi)、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù),，寫入速度比目前Ｕ盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲時間也可自行決定,。這解決了國際半導體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題,。

據(jù)了解，目前半導體電荷存儲技術(shù)主要有兩類,，第一類是易失性存儲,，例如計算機中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會立即消失,；第二類是非易失性存儲,，例如人們常用的Ｕ盤，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存１０年,。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù),，第二類電荷存儲技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來。

此次研發(fā)的新型電荷存儲技術(shù),，既滿足了１０納秒寫入數(shù)據(jù)速度,，又實現(xiàn)了按需定制（１０秒－１０年）的可調(diào)控數(shù)據(jù)準非易失特性。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲功耗,，同時能實現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失,，在特殊應(yīng)用場景解決了保密性和傳輸?shù)拿堋?/p>

這項研究創(chuàng)新性地選擇多重二維材料堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管：二硫化鉬、二硒化鎢,、二硫化鉿分別用于開關(guān)電荷輸運和儲存,，氮化硼作為隧穿層，制成階梯能谷結(jié)構(gòu)的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié),。

“選擇這幾種二維材料,，將充分發(fā)揮二維材料的豐富能帶特性。一部分如同一道可隨手開關(guān)的門,，電子易進難出,；另一部分像一面密不透風的墻，電子難以進出,。對‘寫入速度’與‘非易失性’的調(diào)控,，就在于這兩部分的比例。”周鵬說,。