4月11日,，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi),、周鵬團(tuán)隊(duì)成員劉春森在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)清洗硅片

原標(biāo)題：我國科學(xué)家開創(chuàng)第三類存儲技術(shù)

2018年4月11日訊，新華社上海４月１０日電（記者吳振東）近日,，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi),、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù),，寫入速度比目前Ｕ盤快一萬倍,，數(shù)據(jù)存儲時(shí)間也可自行決定。這解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題,。

據(jù)了解,，目前半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲,，例如計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存,，掉電后數(shù)據(jù)會(huì)立即消失；第二類是非易失性存儲,，例如人們常用的Ｕ盤,，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存１０年。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù),，第二類電荷存儲技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存下來,。

此次研發(fā)的新型電荷存儲技術(shù)，既滿足了１０納秒寫入數(shù)據(jù)速度,，又實(shí)現(xiàn)了按需定制（１０秒－１０年）的可調(diào)控?cái)?shù)據(jù)準(zhǔn)非易失特性,。這種全新特性不僅在高速內(nèi)存中可以極大降低存儲功耗，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失,，在特殊應(yīng)用場景解決了保密性和傳輸?shù)拿堋?/p>

這項(xiàng)研究創(chuàng)新性地選擇多重二維材料堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管：二硫化鉬,、二硒化鎢、二硫化鉿分別用于開關(guān)電荷輸運(yùn)和儲存,，氮化硼作為隧穿層,，制成階梯能谷結(jié)構(gòu)的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)。

“選擇這幾種二維材料,，將充分發(fā)揮二維材料的豐富能帶特性,。一部分如同一道可隨手開關(guān)的門，電子易進(jìn)難出；另一部分像一面密不透風(fēng)的墻,，電子難以進(jìn)出,。對‘寫入速度’與‘非易失性’的調(diào)控，就在于這兩部分的比例,?！敝荠i說。