中國科學(xué)院芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展新型“光學(xué)硅”芯片問世

小大

用微信掃描二維碼
分享至好友和朋友圈

關(guān)鍵詞：

2024-05-10 05:50:39 中國青年網(wǎng)

集成電路產(chǎn)業(yè)已邁入“后摩爾時代”，面對芯片性能提升的困境和高昂成本,，探索新技術(shù)路徑成為當(dāng)務(wù)之急,。中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的科研團(tuán)隊近期在鉭酸鋰異質(zhì)集成晶圓及高性能光子芯片研究中取得了重大進(jìn)展，開發(fā)出一種新型“光學(xué)硅”芯片,，具備批量生產(chǎn)能力。這一成果于8日在《自然》雜志線上發(fā)表,。

當(dāng)前,，硅光技術(shù)和薄膜鈮酸鋰光子技術(shù)作為集成光電技術(shù)的代表，被視為克服集成電路芯片性能提升障礙的創(chuàng)新手段,。鈮酸鋰因其卓越的光電轉(zhuǎn)換性能被譽為“光學(xué)硅”,，并激發(fā)了國際上構(gòu)建“鈮酸鋰谷”的構(gòu)想,，類似于“硅谷”的發(fā)展模式。

與備受矚目的鈮酸鋰相媲美,，鉭酸鋰同樣贏得了“光學(xué)硅”的稱號,。論文的共同通訊作者、來自中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所的歐欣研究員指出,，研究證實了單晶鉭酸鋰薄膜在電光轉(zhuǎn)換特性上的杰出表現(xiàn),，某些方面超越了鈮酸鋰。尤為重要的是,，硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓的生產(chǎn)工藝與現(xiàn)有硅晶圓技術(shù)高度兼容,，意味著鉭酸鋰薄膜能夠以更低的成本實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，其應(yīng)用潛力巨大,。

科研團(tuán)隊利用“萬能離子刀”技術(shù),，結(jié)合離子注入與晶圓鍵合技術(shù)，成功制備出高質(zhì)量的硅基鉭酸鋰單晶薄膜異質(zhì)晶圓,。同時,，與合作伙伴共同開發(fā)了超低損耗的鉭酸鋰光子器件微納加工工藝，推進(jìn)了鉭酸鋰光子芯片的研制,。

歐欣強(qiáng)調(diào),，新研發(fā)的鉭酸鋰光子芯片展示出超低光學(xué)損耗和高效的電光轉(zhuǎn)換能力，預(yù)示著它可能為通信領(lǐng)域的速度限制,、能耗問題,、頻率瓶頸以及帶寬局限提供創(chuàng)新解決方案，并有望在低溫量子技術(shù),、光計算及光通信等多個前沿領(lǐng)域引發(fā)技術(shù)革命,。

(責(zé)任編輯：張蕾)

關(guān)閉

中國科學(xué)院芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展 新型“光學(xué)硅”芯片問世

相關(guān)新聞

今日熱點

頻道熱點

中國科學(xué)院芯片領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展新型“光學(xué)硅”芯片問世