iPhone被曝要用QLC閃存
7月25日的資訊顯示,,集邦咨詢的最新市場研究報告透露,蘋果公司正考慮在未來iPhone產(chǎn)品中采用QLC NAND閃存技術(shù),。這項技術(shù)預(yù)計最早將于2026年實施,,有望使iPhone的最大內(nèi)置存儲容量達(dá)到2TB。
QLC NAND,,即Quad-level cells,,是一種高級閃存技術(shù),每個單元能存儲4比特數(shù)據(jù),,相較于TLC NAND,,存儲密度提升了33%。盡管QLC NAND在應(yīng)對頻繁寫入操作時可能存在局限性,,但因其高密度存儲特性,,非常適合大容量存儲場景。蘋果意在借此提升iPhone的存儲潛力,,以適應(yīng)不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)集邦咨詢預(yù)測,,蘋果正加快QLC NAND技術(shù)的部署步伐,,旨在將iPhone內(nèi)置存儲提升至2TB級別。
此外,,蘋果還著眼于利用NAND閃存技術(shù)來存儲大型語言模型,,旨在設(shè)備端實現(xiàn)更多人工智能任務(wù)的處理。轉(zhuǎn)向QLC NAND閃存或?qū)⒃鰪?qiáng)Apple Intelligence的功能,,使其在執(zhí)行復(fù)雜AI計算任務(wù)時更為高效,。