近日,,臺積電在其歐洲開放創(chuàng)新平臺論壇上宣布,,計劃在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn)N2工藝,A16工藝則預(yù)計在2026年末投產(chǎn),。公司表示,,先進(jìn)工藝的開發(fā)正按路線圖推進(jìn),未來幾年基本保持不變,。
TomsHardware報道指出,,從2025年末到2026年末,N2P,、N2X和A16將陸續(xù)推出,,不會同時出現(xiàn),但都會在2026年年底前為大批量生產(chǎn)做好準(zhǔn)備,。這些技術(shù)有許多相似之處,,包括采用GAA架構(gòu)的晶體管以及高性能金屬-絕緣體-金屬電容器。
A16工藝還將結(jié)合臺積電的超級電軌架構(gòu),,即背部供電技術(shù),。這可以釋放出更多的布局空間,提升邏輯密度和效能,,適用于具有復(fù)雜信號及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高性能計算產(chǎn)品,。與N2P工藝相比,A16在相同工作電壓下速度快了8-10%,,或在相同速度下功耗降低15-20%,,同時密度提高至原來的1.1倍。
臺積電設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施管理主管Dan Kochpatcharin表示,,A16基本上是N2P加入背部供電技術(shù)的產(chǎn)物,。盡管這種技術(shù)提高了性能和電源效率,但也帶來了熱問題,,需要解決,。因此,,并非所有類型的芯片都適合這種設(shè)計,現(xiàn)階段最合適的還是高性能計算芯片,。
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