氮化鎵和碳化硅，是新一代半導(dǎo)體材料,，用它制造的電力電子器件具有低損耗,、快速開關(guān)等特點(diǎn)，是目前發(fā)達(dá)國家重點(diǎn)投入的電力電子關(guān)鍵技術(shù),。浙江大學(xué) “90后”研究員楊樹,，憑借對這一前沿領(lǐng)域的深入研究，入選了第十二批青年千人計(jì)劃,，歸國任教,，打造環(huán)保節(jié)能利器。

眼前這個(gè)半透明的晶圓就是新型氮化鎵同質(zhì)外延材料,，在經(jīng)過光刻,、離子注入、金屬化等一系列微納加工后,，就形成了這個(gè)兩厘米見方的芯片,，別看它外表看似普通，但其實(shí)大有學(xué)問,，它的上面包含了上百個(gè)電力電子器件,。在氮化鎵材料的幫助下，一個(gè)幾平方毫米的器件能夠阻斷上千伏的高壓和導(dǎo)通數(shù)十安培的電流,，相較于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料硅,，新器件可大幅降低功耗、提升效率和工作頻率,。而對于這一領(lǐng)域的研究,，浙江大學(xué)“90后”博導(dǎo)楊樹和團(tuán)隊(duì)獲得了業(yè)內(nèi)的廣泛認(rèn)可。近五年,，她已經(jīng)在國際權(quán)威期刊及頂級會(huì)議發(fā)表論文六十余篇,。

2010年，年僅20歲的她從復(fù)旦大學(xué)畢業(yè),，進(jìn)入香港科技大學(xué)攻讀電子計(jì)算機(jī)工程博士學(xué)位,，隨后留校擔(dān)任客座助理教授。2016年,，在英國劍橋大學(xué)進(jìn)行博士后研究工作的楊樹被浙江大學(xué)引進(jìn),，成為浙大當(dāng)年最年輕的博士生導(dǎo)師之一。

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長 盛況：我們中國的經(jīng)濟(jì)和整個(gè)國家民族的發(fā)展,，在這些年發(fā)展得非常好,。那么對這些人才有迫切需求，我們國家也給這些人才提供了非常好的發(fā)展的機(jī)遇和機(jī)會(huì),，這些年輕人們紛紛的在國外求完學(xué),，回到祖國來,，為祖國的發(fā)展做貢獻(xiàn)。