消息稱下一代 DDR6 內(nèi)存速率可達(dá) 17.6Gbps,、LPDDR6 內(nèi)存速率可達(dá) 14.4Gbps
5月21日,博主Darkmont分享了Synopsys與JEDEC關(guān)于即將推出的DDR6/LPDDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料,。據(jù)透露,,DDR6內(nèi)存的預(yù)期速率范圍為8.8Gbps至17.6Gbps,未來甚至有望達(dá)到21Gbps,。該標(biāo)準(zhǔn)的初版草案預(yù)計將在年內(nèi)面世,,而完整1.0版本規(guī)范則計劃在明年的第二季度公開。
另一方面,,LPDDR6內(nèi)存的設(shè)計采用了24bit通道寬度,,基礎(chǔ)速率為10.667Gbps,最高可定義速率提升至14.4Gbps,。這使得LPDDR6內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸帶寬可達(dá)到28.5GB/s至38.4GB/s之間,,同時在能效和安全性能方面也實現(xiàn)了進(jìn)步。
JEDEC的研究不僅限于內(nèi)存本身,,還涵蓋了LPDDR6 CAMM2模組及其潛在的桌面與服務(wù)器平臺應(yīng)用,,顯示出對這一新型內(nèi)存技術(shù)全面發(fā)展的重視,。
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2024-05-13 10:15:23AMD下一代Strix