據(jù)消息源透露,,明年iPhone 18系列將首發(fā)大內(nèi)存的6通道LPDDR5X,,這標(biāo)志著性能板塊開始發(fā)力。對于LPDDR5x內(nèi)存來說,每個通道的位寬是16bit,,在中高端手機(jī)SoC常見的4通道設(shè)計下總位寬為64bit,僅相當(dāng)于常規(guī)MSDT處理器的一半,,這限制了手機(jī)芯片所能實(shí)現(xiàn)的最大內(nèi)存帶寬,。
下一代LPDDR6內(nèi)存預(yù)計采用每通道24bit位寬的設(shè)計方案,因此6通道LPDDR5x的整體位寬與4通道LPDDR6相同,,均為96bit,。目前尚不清楚iPhone 18系列智能手機(jī)對應(yīng)的A20系列SoC支持6通道內(nèi)存是否僅為過渡時期的臨時措施。
此外,該消息還提到,,由于全量Apple Intelligence的推廣,,預(yù)計今年晚些時候發(fā)布的蘋果iPhone 17系列將大規(guī)模配備12GB內(nèi)存,并搭配臺積電N3p工藝制造的A19 Pro芯片,,性能預(yù)計將有顯著提升,。
投資公司GF Securities發(fā)布報告稱,,iPhone 18系列將搭載采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造的A20芯片
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