臺(tái)積電2nm工藝步入正軌 良率顯著提升
臺(tái)積電2nm工藝步入正軌 良率顯著提升！據(jù)海外媒體報(bào)道,，臺(tái)積電2nm芯片研發(fā)進(jìn)展順利,，正按計(jì)劃穩(wěn)步推進(jìn),，有望在2nm工藝節(jié)點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。AMD更是率先完成流片,，領(lǐng)跑蘋果與英特爾,。
目前，臺(tái)積電2nm工藝節(jié)點(diǎn)在開發(fā)過程中表現(xiàn)出色,，其缺陷率顯著優(yōu)于3nm和7nm工藝在相同研發(fā)階段的表現(xiàn),。該節(jié)點(diǎn)芯片的良率現(xiàn)已達(dá)到臺(tái)積電成熟5nm工藝的水平，并預(yù)計(jì)將于2025年第四季度正式進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段,。
此次技術(shù)躍進(jìn)的關(guān)鍵在于臺(tái)積電采用了全新的GAAFET（全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管）架構(gòu),。相較于傳統(tǒng)的FinFET架構(gòu)，GAAFET架構(gòu)中的每個(gè)晶體管都采用了被柵極材料完全包裹的納米片結(jié)構(gòu),，這一變革大幅提升了晶體管密度,，有效降低了漏電現(xiàn)象，并顯著降低了功耗,。這是臺(tái)積電首次在量產(chǎn)芯片中應(yīng)用GAAFET架構(gòu),，標(biāo)志著其在半導(dǎo)體制造技術(shù)上的又一次重大突破。
在客戶合作方面,，AMD成為首批受益者,，其下一代代號(hào)為“Venice”的EPYC芯片已率先完成流片，預(yù)計(jì)將成為2nm節(jié)點(diǎn)的首發(fā)產(chǎn)品,。相比之下,，蘋果的iPhone 18和英特爾的Nova Lake CPU雖也計(jì)劃采用臺(tái)積電的2nm技術(shù)，但上市時(shí)間將稍晚于AMD,。
臺(tái)積電的2nm工藝客戶名單包括蘋果,、AMD、英特爾,、英偉達(dá),、高通、聯(lián)發(fā)科以及博通等芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的巨頭,。其中,，英偉達(dá)的Rubin GPU最初將采用3nm工藝制造，但未來(lái)有望升級(jí)至2nm工藝,。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家表示,，市場(chǎng)對(duì)2nm工藝的需求空前高漲，遠(yuǎn)超此前3nm工藝引發(fā)的搶購(gòu)熱潮,。
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