臺積電首次公布2nm制程指標 性能與功耗顯著提升
臺積電首次公布2nm制程指標。在AI領域，NVIDIA表現(xiàn)出色,；而在晶圓制造領域,，臺積電同樣取得了顯著成功,。特別是在5nm和3nm制程時代,，臺積電幾乎獨占鰲頭,，其先進制程的產能飽滿,，營收持續(xù)增長,。接下來,，臺積電將重點發(fā)展2nm制程技術，預計在性能和功耗方面都將有顯著提升,。
在IEEE國際電子設備會議上,，臺積電展示了其在半導體制造領域的最新進展，其中2nm制程的性能和技術指標備受關注,。與現(xiàn)有的3nm制程相比,，2nm制程在相同功耗下性能可提升15%，而在同等性能下,，功耗則可降低24%-35%,。這一性能參數(shù)對于未來的高性能AI芯片尤為重要，因為更低的功耗意味著更佳的能耗表現(xiàn),。
FinFET晶體管在過去非常成功,，但在更先進的制程上已顯不足。因此,，臺積電轉向了新的晶體管技術,，這種新技術在低電壓下可以實現(xiàn)75%的能耗下降，并且晶體管密度也有所提高,。
除了2nm制程,，臺積電還開始了1nm以下晶體管的研發(fā)工作，盡管目前仍處于早期階段,，距離量產和商用還有很長的路要走,。隨著2nm甚至1nm制程的逐步落地，未來芯片的成本可能會進一步上升,，這也將導致終端產品價格的上漲,。
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