臺(tái)積電首次公布2nm制程指標(biāo)。在AI領(lǐng)域,NVIDIA表現(xiàn)出色,;而在晶圓制造領(lǐng)域,,臺(tái)積電同樣取得了顯著成功。特別是在5nm和3nm制程時(shí)代,臺(tái)積電幾乎獨(dú)占鰲頭,其先進(jìn)制程的產(chǎn)能飽滿,營(yíng)收持續(xù)增長(zhǎng),。接下來(lái),臺(tái)積電將重點(diǎn)發(fā)展2nm制程技術(shù),,預(yù)計(jì)在性能和功耗方面都將有顯著提升,。
在IEEE國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議上,臺(tái)積電展示了其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的最新進(jìn)展,,其中2nm制程的性能和技術(shù)指標(biāo)備受關(guān)注,。與現(xiàn)有的3nm制程相比,2nm制程在相同功耗下性能可提升15%,,而在同等性能下,,功耗則可降低24%-35%。這一性能參數(shù)對(duì)于未來(lái)的高性能AI芯片尤為重要,,因?yàn)楦偷墓囊馕吨训哪芎谋憩F(xiàn),。
FinFET晶體管在過(guò)去非常成功,但在更先進(jìn)的制程上已顯不足。因此,,臺(tái)積電轉(zhuǎn)向了新的晶體管技術(shù),,這種新技術(shù)在低電壓下可以實(shí)現(xiàn)75%的能耗下降,并且晶體管密度也有所提高,。
除了2nm制程,,臺(tái)積電還開(kāi)始了1nm以下晶體管的研發(fā)工作,盡管目前仍處于早期階段,,距離量產(chǎn)和商用還有很長(zhǎng)的路要走,。隨著2nm甚至1nm制程的逐步落地,,未來(lái)芯片的成本可能會(huì)進(jìn)一步上升,,這也將導(dǎo)致終端產(chǎn)品價(jià)格的上漲。