“新基建”是近期熱詞之一,。國(guó)家發(fā)改委近日首次明確新型基礎(chǔ)設(shè)施的范圍———新型基礎(chǔ)設(shè)施是以新發(fā)展理念為引領(lǐng)，以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),，以信息網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ),，面向高質(zhì)量發(fā)展需要，提供數(shù)字轉(zhuǎn)型,、智能升級(jí),、融合創(chuàng)新等服務(wù)的基礎(chǔ)設(shè)施體系。

“在以5G,、物聯(lián)網(wǎng),、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導(dǎo)體均可發(fā)揮重要作用,?！北本┐髮W(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波教授介紹道,第三代半導(dǎo)體即寬禁帶半導(dǎo)體，以碳化硅和氮化鎵為代表,，具備高頻,、高效,、高功率、耐高壓,、耐高溫,、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是支撐新一代移動(dòng)通信,、新能源汽車、高速軌道列車,、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)的重點(diǎn)核心材料和電子元器件,。

沈波解釋說，相比于目前在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域依然占主流地位的傳統(tǒng)硅基器件,，第三代半導(dǎo)體功率電子器件可使電子和電器設(shè)備進(jìn)一步高效化,、小型化、智能化,。例如,，耐高壓、大電流,、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊,，可大規(guī)模應(yīng)用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通,、新能源汽車等領(lǐng)域,；高效率、小體積,、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊,，則可大規(guī)模應(yīng)用于新一代通用電源，如大數(shù)據(jù)中心,、移動(dòng)通訊基站,、物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備的電源，以及手機(jī),、筆記本電腦的電源適配器,、無線快充電源等領(lǐng)域，具有巨大技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)空間,。

其中,，第三代半導(dǎo)體射頻電子器件在民用和軍用領(lǐng)域都已實(shí)現(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用,。尤其是,，由于具備高頻、高功率,、大帶寬的性能優(yōu)勢(shì),，氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動(dòng)通信基站建設(shè)中發(fā)揮著不可替代的作用，我國(guó)5G建設(shè)提速，將觸發(fā)對(duì)氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長(zhǎng),。

放眼國(guó)際,，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷期，但第三代半導(dǎo)體技術(shù),、產(chǎn)品,、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),，龍頭企業(yè)紛紛加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局,，通過調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大產(chǎn)能供給,，整合并購(gòu),，增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)能力。相比之下,，我國(guó)第三代半導(dǎo)體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)處于起步階段,，已初步形成從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈,，但整體技術(shù)水平還落后世界頂尖水平3-5年,，亟需突破材料、器件,、封裝及應(yīng)用等環(huán)節(jié)的核心關(guān)鍵技術(shù)和可靠性,、一致性等工程化應(yīng)用問題。