據(jù)快科技等報(bào)道,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)訂購(gòu)的這臺(tái)光刻機(jī)采用193nm沉浸式設(shè)計(jì),，可生產(chǎn)20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓,，售價(jià)達(dá)7200萬(wàn)美元,，約合人民幣4.6億元。

目前,，該機(jī)已經(jīng)運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng),，相關(guān)入境手續(xù)辦理完畢后，即可運(yùn)至長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠,。

根據(jù)官網(wǎng)資料,，2016年底，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)和動(dòng)力廠房在武漢正式開(kāi)工建設(shè),，2017年9月底提前封頂,，2018年4月5日首批價(jià)值400萬(wàn)美元的精密儀器進(jìn)場(chǎng)安裝。

▲國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)安裝儀式（圖片來(lái)源：長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)）

目前,，長(zhǎng)江存儲(chǔ)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層堆疊3D NAND閃存已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn),，不少產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都拿到了樣片測(cè)試，預(yù)計(jì)今年第四季度量產(chǎn),。同時(shí),，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在推進(jìn)64層堆疊3D閃存，力爭(zhēng)2019年底實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),，將與世界領(lǐng)先水平差距縮短到2年之內(nèi),。

中芯國(guó)際進(jìn)軍“7納米”時(shí)代

每經(jīng)小編（微信號(hào)：nbdnews）注意到，2000年成立的中芯國(guó)際（SMIC）總部位于上海,。在港股上市的中芯國(guó)際據(jù)稱是中國(guó)大陸規(guī)模最大,、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)之一。

據(jù)日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)道,，盡管中芯國(guó)際在這一市場(chǎng)仍落后于市場(chǎng)領(lǐng)先者兩至三代技術(shù),，但是購(gòu)買(mǎi)到目前世界最先進(jìn)的EUV光刻機(jī)，彰顯了其努力追趕的決心,。

▲阿斯麥官網(wǎng)產(chǎn)品示意圖

每經(jīng)小編（微信號(hào)：nbdnews）了解到,，EUV是目前世界上最昂貴也是最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)工具。小于5納米的芯片晶圓,，目前只能用EUV光刻機(jī)生產(chǎn),。三星電子和臺(tái)積電目前正競(jìng)爭(zhēng)生產(chǎn)7納米工藝技術(shù)芯片，這兩家都訂購(gòu)了阿斯麥公司的EUV光刻機(jī),。

中芯國(guó)際這次引進(jìn)的EUV光刻機(jī)預(yù)計(jì)將于2019年初交付,。而在2017年3月，中芯國(guó)際宣布將進(jìn)軍7納米工藝技術(shù)的研發(fā),。

有芯片行業(yè)高管表示,，

“購(gòu)買(mǎi)這樣的機(jī)器雖然不能保證100%成功，但這至少顯示了中芯國(guó)際自主研發(fā)的決心和動(dòng)力,?！?/p>

光學(xué)研究機(jī)構(gòu)人士表示,，

“這臺(tái)光刻機(jī)一旦安裝完成,，將會(huì)極大縮短工藝時(shí)長(zhǎng),，并且讓廠商有能力嘗試生產(chǎn)更復(fù)雜的高精度芯片?！?/p>

▲圖片來(lái)源：攝圖網(wǎng)（圖文無(wú)關(guān)）

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