原標(biāo)題：20多位中科院專(zhuān)家把芯片價(jià)格打到10塊 致敬每一位科研人員！

在2012年以前我國(guó)的PLC光分路器芯片全部依賴(lài)進(jìn)口，對(duì)方一個(gè)芯片賣(mài)五六百塊錢(qián),。

為了實(shí)現(xiàn)芯片技術(shù)自主可控自立自強(qiáng),，20多位中科院半導(dǎo)體所的專(zhuān)家扎根河南鶴壁，憑著鍥而不舍的韌勁兒、舍身忘我的拼勁兒，攻克了一道道技術(shù)難關(guān)，成功研發(fā)出了PLC光分路器芯片,，現(xiàn)在一個(gè)芯片只需要10塊錢(qián)左右，大大節(jié)省了寬帶網(wǎng)絡(luò)建設(shè)費(fèi)用,。

現(xiàn)在咱們國(guó)產(chǎn)的PLC光分路器芯片已經(jīng)銷(xiāo)往國(guó)外,，份額占全球第一！

從無(wú)到有,，從有到強(qiáng),，離不開(kāi)每一位科研人員，向他們致敬,！

中科院半導(dǎo)體研究所研究員吳遠(yuǎn)大介紹,，在2012年以前，我國(guó)的PLC光分路器芯片全部依賴(lài)進(jìn)口,，該類(lèi)進(jìn)口芯片一個(gè)要賣(mài)五六百塊錢(qián)左右,。而現(xiàn)在一個(gè)自研PLC光分路器芯片芯片只需要10塊錢(qián)左右，大大節(jié)省了寬帶網(wǎng)絡(luò)建設(shè)費(fèi)用,。

PLC光分路器芯片是光纖鏈路中最重要的無(wú)源器件之一,，是具有多個(gè)輸入端和多個(gè)輸出端的光纖匯接器件，特別適用于無(wú)源光網(wǎng)絡(luò)（EPON,，GPON,，BPON等）中連接局端和終端設(shè)備并實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的分路,。

此前科技日?qǐng)?bào)曾報(bào)道過(guò)，在目前世界上100多類(lèi)高端光電子芯片中,，國(guó)內(nèi)有兩大類(lèi)全系列化芯片技術(shù)基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,。一類(lèi)是主要應(yīng)用于光纖到戶(hù)接入網(wǎng)中的PLC光分路器芯片，另一類(lèi)是主要應(yīng)用于骨干網(wǎng),、城域網(wǎng),、高速數(shù)據(jù)中心和5G領(lǐng)域的陣列波導(dǎo)光柵芯片。

據(jù)了解,，吳遠(yuǎn)大是中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員,，主要致力于高性能無(wú)源光電子材料與器件的應(yīng)用基礎(chǔ)研究，同步開(kāi)展PLC光分路器芯片及陣列波導(dǎo)光柵芯片的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開(kāi)發(fā)工作,。

國(guó)際最高水平,！

我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶制備成功

除了PLC光分路器芯片的好消息，國(guó)產(chǎn)芯片在氧化鎵研發(fā)進(jìn)展上也傳來(lái)了捷報(bào),。

近日,，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平,。據(jù)“中國(guó)電科”消息，中國(guó)電科46所氧化鎵團(tuán)隊(duì)從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設(shè)計(jì)出發(fā),，成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),，突破了6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制,，將有力支撐我國(guó)氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,。

相信很多人都知道當(dāng)前以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料,，正成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要領(lǐng)域,，而氧化鎵正是“第四代半導(dǎo)體”的典型代表，憑借其高耐壓,、低損耗,、高效率、小尺寸等特性,，成功進(jìn)入人們的視野,。

氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，氧化鎵在微電子與光電子領(lǐng)域均擁有廣闊的應(yīng)用前景,，可以有效降低新能源汽車(chē),、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗,。為進(jìn)一步推動(dòng)氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展,，科技部高新司甚至已于2017年便將其列入重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃,。此外，安徽,、北京等省市也將氧化鎵列為了重點(diǎn)研發(fā)對(duì)象,。

據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，目前我國(guó)從事氧化鎵相關(guān)業(yè)務(wù)的企業(yè)不在少數(shù),，包括北京鎵族科技,、杭州富加鎵業(yè)、北京銘鎵半導(dǎo)體,、深圳進(jìn)化半導(dǎo)體等,。此外，除中電科46所,，上海光機(jī)所,、上海微系統(tǒng)所、復(fù)旦大學(xué),、南京大學(xué)等各大科研高校也在從事相關(guān)研究,，多家企業(yè)也取得了不錯(cuò)的成果，其中包括：

北京銘鎵半導(dǎo)體于2022年12月完成4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破,，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司,；

新湖中寶投資的杭州富加鎵業(yè)初步建立了氧化鎵單晶材料設(shè)計(jì)、熱場(chǎng)模擬仿真,、單晶生長(zhǎng),、晶圓加工等全鏈路研發(fā)能力，推出2寸及以下規(guī)格的氧化鎵UID（非故意摻雜）,、導(dǎo)電型及絕緣型產(chǎn)品,；

浙大杭州科創(chuàng)中心于2022年5月成功制備直徑2英寸（50．8mm）的氧化鎵晶圓，而使用這種具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)生長(zhǎng)的2英寸氧化鎵晶圓在國(guó)際尚屬首次,；

中國(guó)科大國(guó)家示范性微電子學(xué)院教授龍世兵課題組于2023年初首次研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管,。

盡管氧化鎵發(fā)展尚處于初期階但其前景依然備受期待。有數(shù)據(jù)顯示,，到2030年,，氧化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)15億美元。對(duì)于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,，也必將是下一個(gè)值得發(fā)力的市場(chǎng)之一,。

碩果背后

是不斷進(jìn)步的“硬實(shí)力”

唯有創(chuàng)新突破，才能引領(lǐng)發(fā)展,。在近日知產(chǎn)機(jī)構(gòu)Mathys ＆ Squire發(fā)布的一份2022年半導(dǎo)體專(zhuān)利申請(qǐng)報(bào)告中顯示,，2022年全球半導(dǎo)體專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的69190項(xiàng)，較2020－21年的62770件增加了9％,；而中國(guó),、美國(guó),、歐盟等依然是半導(dǎo)體技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，這對(duì)未來(lái)經(jīng)濟(jì)十分重要,。去年,，半導(dǎo)體相關(guān)專(zhuān)利的申請(qǐng)數(shù)比5年前激增59％。

其中,，在專(zhuān)利來(lái)源方面,，中國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)利申請(qǐng)量達(dá)到了37865項(xiàng)，占全球總量的55％,，遙遙領(lǐng)先其他國(guó)家,；美國(guó)則以18223項(xiàng)專(zhuān)利申請(qǐng)量（占總數(shù)的26％）排名第二；英國(guó)的半導(dǎo)體專(zhuān)利申請(qǐng)量?jī)H179項(xiàng),，僅占全球總量的0．26％,。

從專(zhuān)利申請(qǐng)人來(lái)看，2022年度最大的申請(qǐng)人是半導(dǎo)體巨頭臺(tái)積電,，以4793項(xiàng)專(zhuān)利申請(qǐng)量占全球所有專(zhuān)利申請(qǐng)量的7％,。而最大的美國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)利申請(qǐng)人是總部位于加利福尼亞州的應(yīng)用材料公司，擁有209項(xiàng)專(zhuān)利申請(qǐng),，其次是Sandisk（50項(xiàng)）和IBM（49項(xiàng)）,。

報(bào)告稱(chēng)，半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)的研發(fā)支出支撐了技術(shù)的增長(zhǎng),，行業(yè)內(nèi)的激烈競(jìng)爭(zhēng)確保了創(chuàng)新以激烈的速度繼續(xù),。預(yù)計(jì)到2030年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)價(jià)值將從2021的5900億美元增至1萬(wàn)億美元,。Mathys ＆ Squire管理助理Edd Cavanna表示：“各國(guó)政府越來(lái)越關(guān)注全球供應(yīng)鏈的脆弱性，并正在采取措施促進(jìn)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體研究和生產(chǎn),。從這場(chǎng)全球技術(shù)競(jìng)賽中出現(xiàn)的新技術(shù)將受到專(zhuān)利的保護(hù),，這些專(zhuān)利可能會(huì)得到嚴(yán)格執(zhí)行?！?/p>

眾所周知,，如今越來(lái)越緊張的國(guó)際形勢(shì)正加劇導(dǎo)致關(guān)鍵技術(shù)形成貿(mào)易壁壘，美國(guó)甚至出臺(tái)《芯片與科學(xué)法案》來(lái)維護(hù)推動(dòng)本土半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展,，以確保本土半導(dǎo)體供應(yīng),。對(duì)此中國(guó)芯到底如何破局呢？毫無(wú)疑問(wèn),，首先依然是要解決制造環(huán)節(jié)的難題,，由于缺乏關(guān)鍵的高端設(shè)備因此無(wú)法流片生產(chǎn)；在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域,，也頻頻因?yàn)镋DA等軟件受到掣肘,。

說(shuō)到底,，中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)最急迫的是底層的自主創(chuàng)新。隨著國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)近期捷報(bào)頻傳,，我們也看到越來(lái)越多的芯片領(lǐng)域難點(diǎn)正在被逐個(gè)擊破,，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)正在加速發(fā)展，未來(lái)有望加速擺脫“芯片卡脖子”難題,。