媒體人梳理國(guó)產(chǎn)芯片設(shè)備的絕代雙驕(9)

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2024-09-25 07:50:03 無(wú)想隱者

怎么辦呢,？起初,，北方華創(chuàng)的主要方式之一就是砸錢搞研發(fā),，2018年北方華創(chuàng)投入了8.73億搞研發(fā)，19年加大到11.37億,，20年增加到16.08億,，之后每年都保持著10億多的研發(fā)費(fèi)用增幅，到2023年,，其研發(fā)投入了44億,，北方華創(chuàng)主攻刻蝕機(jī)、PVD,、ALD,、CVD、氧化 / 擴(kuò)散爐,、清洗機(jī)等高端半導(dǎo)體工藝裝備及核心零部件,，可以說(shuō)完全是針對(duì)追趕美國(guó)應(yīng)用材料公司來(lái)做研發(fā)布局的。

而且北方華創(chuàng)技術(shù)突破的速度也非?？?，比如刻蝕機(jī)方面，其硅刻蝕機(jī)已突破 14nm 技術(shù),，進(jìn)入主流芯片代工廠,，12 英寸 ICP 刻蝕機(jī)在實(shí)現(xiàn)客戶端 28nm 國(guó)產(chǎn)化替代。在薄膜沉積設(shè)備方面,，新研發(fā)的高密度等離子體化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）屬于高端設(shè)備,，與國(guó)際巨頭的差距進(jìn)一步縮短。

另外,，如北方華創(chuàng)自研的國(guó)內(nèi)首臺(tái)專門針對(duì) 55 - 28nm 制程的 12 寸金屬硬掩膜設(shè)備（EXiTinH630Tin 金屬硬掩膜 PVD）,，實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn) 28nm 后端金屬硬掩膜的突破，在國(guó)內(nèi) PVD 工藝領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,。

技術(shù)突破帶來(lái)的就是業(yè)績(jī)的大幅增長(zhǎng),，疊加美國(guó)打壓,，在越來(lái)越多的半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)向購(gòu)買國(guó)產(chǎn)設(shè)備后，北方華創(chuàng)年?duì)I收從2019年的40億暴增至2023年的220億,，增長(zhǎng)5倍多,，利潤(rùn)也突破10億大關(guān)，成為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的絕對(duì)龍頭,。

伴隨著業(yè)績(jī)的暴增,，北方華創(chuàng)的股價(jià)也同步暴漲,，過(guò)去5年其股價(jià)漲幅超200%,，但這背后凸顯了美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打壓與限制的反作用力。

從2022 年 10 月開(kāi)始,，拜登政府限制半導(dǎo)體設(shè)備與軟件對(duì)華出口,，試圖切斷中美半導(dǎo)體領(lǐng)域的商業(yè)活動(dòng)；一年后,，美國(guó)以國(guó)家安全為口號(hào),，以圍堵中國(guó)AI（人工智能）產(chǎn)業(yè)崛起為目的，進(jìn)一步限制與圍堵中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),，并且督促盟友禁售高端設(shè)備給中國(guó),，其中就包括美國(guó)應(yīng)用材料、泛林等公司的設(shè)備與服務(wù),，以及荷蘭阿斯麥的部分高端光刻機(jī),、日本的光刻膠等。

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