ASML的擔憂似乎成真了,。ASML首席執(zhí)行官曾表示,美國的制裁可能會促使中國自主研發(fā)出先進的技術,。當時許多人認為這只是恭維之詞,,甚至有人覺得他是為了銷售光刻機而吹捧中國。然而,,不到兩年時間,,國產(chǎn)光刻機再次實現(xiàn)了重大突破。
中科院成功研發(fā)出了全固態(tài)DUV光源技術,,這項技術可以用于制造3nm芯片,,并且得到了國際光電工程學會的認可。這一突破迅速引起了芯片行業(yè)的關注,,因為它與ASML的技術路線完全不同,,打破了歐美光刻機的傳統(tǒng)思路。
光刻機的三大核心技術包括光源系統(tǒng)、光學系統(tǒng)和雙工作臺,,其中光源系統(tǒng)直接決定了光刻機的分辨率和精度,。EUV和DUV是兩種主要的光源技術。在ASML的技術路線中,,DUV光刻機通常用于制造7nm以上的芯片,,而EUV光刻機才能制造7nm以下的芯片。由于EUV光刻機非常復雜,,只有ASML能夠生產(chǎn)。
美國試圖通過控制ASML來限制中國芯片技術的發(fā)展,。然而,,中科院的固態(tài)DUV光源技術打破了這種局面。傳統(tǒng)DUV和EUV光刻機使用稀有氣體產(chǎn)生激光,,而中科院的技術則采用固態(tài)晶體產(chǎn)生光源,。這一轉變帶來了三大技術突破。
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