復(fù)旦大學(xué)在集成電路領(lǐng)域取得了關(guān)鍵突破。由周鵬和劉春森團(tuán)隊(duì)研制的“破曉”皮秒閃存器件,,擦寫速度達(dá)到400皮秒,,相當(dāng)于每秒可執(zhí)行25億次操作,成為目前人類掌握的最快半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)器件,。相關(guān)研究成果于北京時(shí)間4月16日發(fā)表在國(guó)際期刊《自然》上,。
電荷存儲(chǔ)器是信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)。個(gè)人電腦中的“內(nèi)存”和“硬盤”是兩種典型的電荷存儲(chǔ)器,?!皟?nèi)存”,包括靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM,,在斷電后會(huì)丟失數(shù)據(jù),,這種易失性限制了其在低功耗條件下的應(yīng)用。而“硬盤”,以閃存為代表的非易失性存儲(chǔ)器,,在斷電后不會(huì)丟失數(shù)據(jù),,但由于其編程速度遠(yuǎn)低于晶體管開關(guān)速度,難以滿足需要高速存取大量數(shù)據(jù)的場(chǎng)合,,例如AI計(jì)算等場(chǎng)景,。
針對(duì)AI計(jì)算所需的算力與能效要求,存儲(chǔ)技術(shù)亟需突破,。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)解決集成電路領(lǐng)域的基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題,,即超越信息的非易失存取速度極限,實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo),。他們發(fā)現(xiàn)了一種電荷存儲(chǔ)的“超注入”機(jī)制,,重新定義了現(xiàn)有存儲(chǔ)技術(shù)邊界,并成功研制出“破曉”皮秒閃存器件,,其性能超越同技術(shù)節(jié)點(diǎn)下世界最快的易失性存儲(chǔ)SRAM技術(shù),。目前,相關(guān)產(chǎn)品正在嘗試小規(guī)模量產(chǎn),。