臺積電A14制程細節(jié)亮相：速度提升15% 鞏固領(lǐng)先地位
美東時間4月23日,，臺積電在美國的北美技術(shù)研討會上發(fā)布了1.4納米級半導(dǎo)體工程技術(shù)A14。該技術(shù)在性能,、功耗和晶體管密度方面將顯著優(yōu)于其N2（2納米級）工藝,。這將進一步鞏固臺積電在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并拉大與英特爾等競爭對手的差距,。
A14是臺積電的下一代制程技術(shù)，其表現(xiàn)將明顯超越當(dāng)前最先進的3納米制程以及即將量產(chǎn)的2納米制程,。臺積電表示,，A14通過提供更快的計算速度和更高的能效來推動人工智能轉(zhuǎn)型，有望提升智能手機內(nèi)置AI功能,，使其更加智能,。
根據(jù)臺積電的數(shù)據(jù)，與即將量產(chǎn)的N2工藝相比,，A14將在相同功耗下實現(xiàn)高達15%的速度提升,，或在相同速度下降低高達30%的功耗，同時邏輯密度將提升20%以上,。A14計劃于2028年投產(chǎn),，目前開發(fā)進展順利,，良率已提前實現(xiàn)。
臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家表示,，客戶始終著眼于未來,，而臺積電的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力和卓越的制造能力為他們提供了可靠的創(chuàng)新路線圖。臺積電的尖端邏輯技術(shù)（例如A14）是連接物理世界和數(shù)字世界的全面解決方案的一部分,，旨在釋放客戶的創(chuàng)新潛能,，推動人工智能的未來發(fā)展。
展望未來,，臺積電還計劃推出A14P,、A14X、A14C等多種版本的衍生工程技術(shù),。其中,，A14P是包括背側(cè)電力供應(yīng)在內(nèi)的高性能版本，A14X和A14C將分別以性能最優(yōu)化型和成本節(jié)省型模式進行優(yōu)化,。此外,，臺積電還計劃在2026年底推出A16制程，即采用1.6納米的制程技術(shù),。
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