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“中國功率半導體領路人”陳星弼院士在成都逝世

“中國功率半導體領路人”陳星弼院士在成都逝世
2019-12-05 06:36:01 新華網

新華社成都12月4日電(記者吳曉穎)記者4日從電子科技大學獲悉,中國科學院院士,、電子科技大學教授陳星弼因病醫(yī)治無效,,于4日17時10分在成都逝世,享年89歲,。

陳星弼1931年1月28日出生于上海,,祖籍浙江浦江。1952年從同濟大學電機系畢業(yè)后,,他先后在廈門大學,、東南大學和成都電訊工程學院(現電子科技大學)工作。1999年當選為中國科學院院士,,2019年當選為國際電氣與電子工程師協會終身會士,。

陳星弼是我國功率半導體領域的領路人和集大成者。他一生發(fā)表學術論文200余篇,,獲得中美等國專利授權40余項,。他是國際上首個提出超結耐壓層理論的科學家,他的超結發(fā)明專利打破傳統(tǒng)“硅極限”,被國際學術界譽為“高壓功率器件新的里程碑”,。

陳星弼曾獲得國家技術發(fā)明獎,、科技進步獎等諸多榮譽,2015年獲得IEEE ISPSD(國際功率半導體器件與集成電路年會)頒發(fā)的最高榮譽“國際功率半導體先驅獎”,,成為亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學家,。2018年入選IEEE ISPSD首屆名人堂,成為首位入選名人堂的華人科學家,。

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