而華為作為中國領(lǐng)先地位的科技公司,,其強(qiáng)大的國際競(jìng)爭(zhēng)力一直被美國忌憚,雖然在2024年新規(guī)中已經(jīng)不是中心位置,,但一直是美國出口管制監(jiān)控的重點(diǎn)之一,。
總體而言,2024年是管制步步深入的一年,,前十個(gè)月波瀾不驚,,看似沒有重磅炸彈,但目標(biāo)清晰,,規(guī)則越發(fā)嚴(yán)密,。隨著12月2日這一輪新規(guī)則發(fā)布,管制力度達(dá)到了2024年最高潮,。
層層加碼背后:抓大放小不傷自己人
2022年10月7日,,美國對(duì)中國先進(jìn)芯片制造進(jìn)行管制,被業(yè)內(nèi)稱之為“1007新規(guī)”,。
在這一階段,,中國芯片制造企業(yè)進(jìn)口先進(jìn)制程即14/16納米邏輯芯片、128層或以上的NAND存儲(chǔ)芯片,、18納米或以下的DRAM芯片的美國設(shè)備需要許可證,。當(dāng)時(shí)最關(guān)鍵的設(shè)備是阿斯麥的光刻機(jī),只要光刻機(jī)被卡,,就無法生產(chǎn),。
2023年10月17日,美國商務(wù)部還更新了半導(dǎo)體設(shè)備的相關(guān)限制,,針對(duì)波長193nm,、分辨率小于45nm的DUV設(shè)備修改了最低比例規(guī)則(0%最低比例門檻),要求相關(guān)設(shè)備只要包含受控物項(xiàng)超過0%,,就受美國管制,。
另外,,對(duì)于光刻機(jī)套刻精度的DCO值,新規(guī)也做了明確的限制,,小于等于2.4nm即需要受到管制(先前為1.5nm),,與日本與荷蘭在當(dāng)年5月23日和6月30日分別發(fā)布的管制標(biāo)準(zhǔn)對(duì)齊、加碼,。
到了2024年,荷蘭,、日本不但對(duì)齊美國的出口管制標(biāo)準(zhǔn),,也在不同程度的加碼,比如荷蘭已經(jīng)將光刻機(jī)的許可標(biāo)準(zhǔn)從1980i,,直接擴(kuò)大到1970i這種更早的型號(hào),。
美國商務(wù)部的出口管制既有層層加碼的意味,也是典型的“兩手抓”——既限制制造,,也限制購買,。
不過,美國對(duì)中國先進(jìn)芯片進(jìn)行出口管制,,像H100,、H200這種高性能產(chǎn)品無法正常出口,反而促進(jìn)了中國算力芯片設(shè)計(jì)公司的發(fā)展,,但受限于國內(nèi)先進(jìn)制造的目前的水平,,中國AI芯片公司只能在臺(tái)積電、三星制造,。
臺(tái)灣《風(fēng)傳媒》近期援引《紐約時(shí)報(bào)》文章,探討了臺(tái)積電在美國亞利桑那州建廠遭遇的重重挑戰(zhàn),,再度引發(fā)島內(nèi)熱烈討論
2024-08-14 09:15:55臺(tái)積電美國廠4年未生產(chǎn)一顆芯片